连理工大学黄辉教授团队研发的无漏电流“纳米线桥接生长技术”，，解决了纳米线器件的排列组装、电极接触及材料稳定性问题，制备出高可靠性（8个月电阻变化率<0.8%）、低功耗（可室温工作）及高灵敏度（NO2检测限0.5ppb）的GaN纳米线气体传感器，该传感器可推广至生物检测以及应力应变检测等，实验结果发表在国际纳米领域顶级期刊“Nano Letters” 上。
目前，半导体集成电路芯片（IC）的迅速发展，推动了物联网和人工智能产业的兴起。如果将IC与人脑进行比较，传感器就相当于人类的感觉器官，它们是相互依赖的。然而，传感器（尤其是可以集成的微纳米传感器）的发展远远落后于集成电路的发展水平。因此，微纳传感器（或传感芯片）将成为继IC产业之后的另一个主要产业。
黄辉团队首次研究了纳米线桥接生长中的寄生沉积效应，发明了气流遮挡效应与表面钝化效应的生长方法，解决了寄生沉积问题。并首次实现了“无漏电流”的GaN桥接纳米线，在此基础上，研制了一种高稳定性、低功耗、高灵敏度的集成纳米线气体传感器。尤其是GaN材料是第三代半导体材料，具有优异的稳定性、耐高温性、抗氧化性、耐酸碱腐蚀性和生物相容性，适用于恶劣环境下的应力应变和液气样品检测，应用领域非常广泛。这项技术将推动传感芯片的发展。
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